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DMP2100UCB9
6
f = 1MHz
5
4
C iss
3
2
C oss
1
C rss
0
5 10 15
20
0
0
1 2 3
4
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 8 Gate-Charge Characteristics
R DS(on)
P W = 10 μs
T J(max) = 150°C
10
1
0.1
0.01
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
T A = 25°C P W = 100μs
Single Pulse DUT
on 1 * MRP Board
V GS = -6V
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
0.001
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 70°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 10 Transient Thermal Resistance
DMP2100UCB9
Document number: DS35725 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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